realme真我GT2大探首发LPDDR5X,双VC冰芯散热,性能直接起飞

  • 2022-07-10
  • John Dowson

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7月7日上午,realme官方微博继续预热旗下即将发布的真我GT2大师探索版新机,正式确认该机搭载了全新骁龙8+芯片,该芯片由台积电4nm工艺打造,相比三星4nm工艺打造的骁龙8芯片,其CPU性能提升了10%,GPU频率提升了10%,尤为值得一提的是,功耗降低了30%。

另外,真我GT2大师探索版还将首发LPDDR5X内存,相比LPDDR5,其运行速度提升了1.3倍,综合功耗降低了20%,短视频功耗降低20%,长视频功耗降低25%,游戏功耗降低了30%。realme副总裁徐起还表示:骁龙8+芯片搭配LPDDR5X内存,GT2大探的性能直接起飞,我说的!

散热方面,真我首款双VC冰芯散热MAX,采用三明治立体双VC结构,VC面积达到4811mm²,针对热源前后散热,官方称其散热效果堪比游戏手机,将会带来更为酷爽的游戏体验。屏幕方面,GT2大探搭载的是120Hz超窄天际屏,采用新一代COP封装工艺,下巴仅2.37mm;并支持10.7亿色原彩显示、HDR10+认证、DC调光等。

总的来看,骁龙8+芯片搭配LPDDR5X内存,真我GT2大探的性能表现相当值得期待。存储方面,提供了8G+128G、8G+256G和12G+256G三个版本选择,其中8G+256G开启盲售模式,100元定金抵200元。随着发布日期的临近,更多相关爆料信息一起持续关注。

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